Die fortschrittlichen HEXFET Power-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätdesign, für das HEXFET-Power-MOSFETs weithin bekannt sind, bietet dem Designer ein hocheffizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.